Detalles de la compañía

  • Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co., Ltd.

  •  [Jilin,China]
  • Tipo de Negocio:Fabricante
  • Main Mark: Américas , Asia , Otros Mercados , Europa occidental , En todo el mundo
  • Exportador:51% - 60%
  • certs:ISO9001, CE, FDA, RoHS, TUV
  • Descripción:5mJ 532nm Laser,Diodo bombeado 532nm láser,Láser de alta energía de 532 nm
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Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co., Ltd.

5mJ 532nm Laser,Diodo bombeado 532nm láser,Láser de alta energía de 532 nm

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Láser de alta energía bombeado por diodo de 5 m J 532 nm

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    Tipo de Pago: T/T,Western Union
    Incoterm: FOB
    Cantidad de pedido mínima: 1 Bag/Bags
    Plazo de entrega: 30 días

Información básica

Modelo: DPS-532-A,DPS-532-Pico

Warranty Period: 1 Year

Single Pulse Energy (mJ): 1-5

Pulse Duration (ns): <10

Rep. Rate (Hz): 1~100 (adjustable)

Energy Stability: <3%,<5%

Beam Divergence, Full Angle (mrad): <3

Beam Diameter (mm): ~3

Warm-up Time (minutes): <15

Cooled Method: Air Cooled

Wavelength (nm): 532±1

Información adicional

Paquete: Bolsa de plástico libre de estática y cartón, embalaje de protección

productividad: 500

Marca: CNI

transporte: Air

Lugar de origen: China (continental)

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001 FDA CE Rohs

HS-Code: 9013200099

Hafen: Beijing,Shenzhen,Xianggang

DDescripción

Descripción del producto

532nm 5mJ diodo bombeado todo estado sólido El láser de alta energía Q- Switched puede alcanzar la frecuencia de repetición de 1 a 10Hz ajustable. Y la estabilidad energética puede alcanzar un 3% o un 5% ajustable. La duración del pulso es inferior a 10ns. Además, es un método enfriado por aire y el tiempo de calentamiento es inferior a 15 minutos. La altura de la placa de la placa base es de 34 mm. El período de garantía es dentro de 1 año. Es arractivo para el procesamiento con láser, militar, etc. Su longitud de onda central es de 532 ± 1nm y la energía del pulso único está entre 1 y 5 mj.


SPECIFICATIONS
Wavelength (nm)
532±1
Operating mode
Q-switched: EOM (Electro-optic modulation)
Q-switched: PM(Passive Modulation)
Single pulse energy (mJ)
1~5
Pulse duration (ns)
<10
Rep. rate (Hz)
1~10, EXT (adjustable)
Energy stability
<3%, <5%
<5%
Beam divergence, full angle (mrad)
<3
Beam diameter (mm)
~3
Warm-up time (minutes)
<15
Beam height from base plate (mm)
34
Cooled method
Air Cooled
Operating temperature (℃)
15~30
Power supply (220VAC)
PSU-DPS-A
Expected lifetime( pulses)
109
Warranty period
1 year
  Available options

Jitter(Sdev):~1ns ( Electro-optic modulation); Battery power supply


High Energy Lasers



Datos de prueba

measurement data

Dimensiones
dimensions of 532nm laser

Certificaciones


Certificate



Información de la empresa

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Exposiciones


ExhibitionsExhibition



Visita de cliente

Customer Visit


Preguntas más frecuentes
1. ¿Qué pasa con la entrega?

TNT UPS FEDEX DHL
2. ¿Qué pasa con la garantía?

Por 1 año
3. ¿Cómo pagar?

T / T Western Union


PRODUCTOS POR GRUPO : Láser > Láser de alta energía

Imagen de Producto
  • Láser de alta energía bombeado por diodo de 5 m J 532 nm
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